吴德馨，女，1936年12月20日出生于河北乐亭县，半导体器件和集成电路专家，中国科学院学部委员，中国科学院微电子所研究员。吴德馨于1961年从清华大学无线电电子工程系毕业后分配至中国科学院半导体研究所工作；1986年调入中国科学院微电子中心工作；1991年至1997年担任中国科学院微电子中心第二届、第三届主任；1991年当选为中国科学院学部委员（院士）。1992年被中华人民共和国国家科学技术委员会聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。她主要从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。

1956年国家开始编制《十二年科学技术发展规划》（《1956~1967年科技发展规划》），这是新中国第一个长期科技发展规划，提出对当时国家新技术发展的“四项紧急措施”——计算机、电子学、半导体、自动化，要求相关部门集中全国科技力量，进行人员培养和科技攻关。由此，中科院物理研究所半导体研究室成立，1960年，在研究室为基础，扩大为中科院半导体研究所。上世纪60年代初，半导体专业的吴德馨（1961年毕业）毕业分配到中科院半导体研究所。

20世纪60年代初期，吴德馨作为主要负责人之一，在中国国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。20世纪60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。20世纪70年代末期，吴德馨研究成功MOS4K位动态随机存储器。在中国国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在中国国内突破了大规模集成电路（LSI）低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。20世纪80年代末期，吴德馨自主开发成功3微米CMOS LSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。20世纪90年代，吴德馨研究成功0.8微米CMOS LSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。

吴德馨对中国半导体晶体管和集成电路的发展作出了重要的贡献。吴德馨完成了半导体平面型高速开关晶体管的研究，打破了中国国外封锁，为中国开关管的自给打下了基础，组织和领导了2微米2000门门阵列的研究，并获得成功，为发展中国微电子技术做出了贡献

如今的她仍在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究，仍在为国内半导体产业的发展建言献策，她所言做科研就是为了国家为了人民，这种责任感促使我们拿到任务就是全身心的投入就一定要做完、做到最好，用现在的话讲既然承担了就要有担当，她就是中国科学院院士，中国早期微电子学研究的开拓者，吴德馨1979年6月加入中国共产党。

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